MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

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	MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
	陈良惠
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:1 页码:44
中文摘要	利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
英文摘要	利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5467.pdf: 231724 bytes, checksum: 4b6fa05be8f029d0f58b525d460db611 (MD5) Previous issue date: 2000; 北京市科委课题,北京市自然科学基金,国家自然科学基金; 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	北京市科委课题,北京市自然科学基金,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18839]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究[J]. 半导体学报,2000,21(1):44.
APA	陈良惠.(2000).MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究.半导体学报,21(1),44.
MLA	陈良惠."MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究".半导体学报 21.1(2000):44.