不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究

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	不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
	王德煌 ; 王威礼 ; 李桂棠 ; 庄婉如 ; 段树坤
刊名	北京大学学报. 自然科学版
	1994
卷号	30 期号:5 页码:575
中文摘要	报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果
英文摘要	报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:41导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6082.pdf: 202626 bytes, checksum: 76979b40f25c50c2ed52a1c05ddc55f6 (MD5) Previous issue date: 1994; 北京大学物理系;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19961]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王德煌,王威礼,李桂棠,等. 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究[J]. 北京大学学报. 自然科学版,1994,30(5):575.
APA	王德煌,王威礼,李桂棠,庄婉如,&段树坤.(1994).不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究.北京大学学报. 自然科学版,30(5),575.
MLA	王德煌,et al."不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究".北京大学学报. 自然科学版 30.5(1994):575.