热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响

	热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响
	杨瑞霞 ; 张富强 ; 陈诺夫
刊名	稀有金属
	2001
卷号	25 期号:6 页码:427
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:37导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5125.pdf: 220610 bytes, checksum: 83e8c00a9c1d7b4ecaf39fa3b83a6854 (MD5) Previous issue date: 2001; 河北省自然科学基金; 河北工业大学电信学院;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	河北省自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18157]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨瑞霞,张富强,陈诺夫. 热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响[J]. 稀有金属,2001,25(6):427.
APA	杨瑞霞,张富强,&陈诺夫.(2001).热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响.稀有金属,25(6),427.
MLA	杨瑞霞,et al."热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响".稀有金属 25.6(2001):427.