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科研机构
半导体研究所 [34]
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期刊论文 [30]
会议论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2009 [3]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [34]
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共34条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:254/68
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Implantation energy
Nonpolar a-plane GaN:Mn films
Room temperature
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008
作者:
Sun BJ
;
Zhao DG
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
AlxGa1-xN
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Kang, TT
;
Hu, WG
;
Yang, SY
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
Effects of growth temperature of AlGaN buffer layer on the properties of A1(0.58)Ga(0.42)N epilayer by NH3-MBE
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 10, 页码: 3405-3409
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li AN (Li Antnin)
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Growth and characterization of InN on sapphire substrate by RF-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 401-406
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/03/17
photoluminescence
Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85
Wu, JJ
;
Li, DB
;
Lu, Y
;
Han, XX
;
Li, JM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Wang, XH
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/17
cracks
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
Song SL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
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浏览/下载:356/46
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提交时间:2010/03/09
auger electron spectroscopy
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