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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires
期刊论文
epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004
Iqbal J
;
Liu XF
;
Majid A
;
Yu DP
;
Yu RH
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浏览/下载:92/34
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
FERROMAGNETISM
FILMS
SPINTRONICS
PRINCIPLES
Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107
作者:
Li L
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
BEAM EPITAXIAL-GROWTH
QUANTUM DOTS
RADIATIVE RECOMBINATION
PATTERNED GAAS
SURFACE
STATES
GE
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104
Lu LW
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Leung BH
;
Surya C
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:100/14
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提交时间:2010/08/12
characterization
molecular beam epitaxy
semiconducting materials
STRAIN
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
GaN epilayers grown at high growth rate using gas source molecular beam epitaxy method
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1-2, 页码: 31-33
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
FILMS
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