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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2000 [1]
1999 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:55/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION
Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate
期刊论文
journal of chemical physics, 2005, 卷号: 123, 期号: 9, 页码: art.no.094708
作者:
Xu B
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浏览/下载:150/46
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提交时间:2010/03/17
KINETIC MONTE-CARLO
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS
Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides
期刊论文
rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20
Peng RW
;
Wei GY
;
Wu W
;
Wang ZG
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
kinetic study
MOCVD
III-V
quaternary antimonide
photodetector
EPITAXIAL-GROWTH
Electro-mass multi odor sensor
会议论文
7th international meeting on chemical sensors (imcs-7), beijing, peoples r china, jul 27-30, 1998
Sun A
;
Yang YA
;
Jiang YL
;
Fan ZJ
;
Liu QD
;
Li XQ
;
Zhou QZ
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/10/29
THEORETICAL TREATMENT OF A3B5 CHLORIDE VAPOR-PHASE EPITAXY - GROWTH, DOPING, OPTIMIZATION
期刊论文
semiconductor science and technology, 1993, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 1935-1943
DOSTOV VL
;
IPATOVA IP
;
KULIKOV AY
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
SYSTEM
VPE
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