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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2005 [4]
2004 [1]
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学科主题
半导体材料 [15]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:97/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition
期刊论文
surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456
作者:
Tan HR
;
Zhang XW
;
You JB
;
Fan YM
收藏
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浏览/下载:264/33
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提交时间:2010/03/08
Cubic boron nitride
Stress relaxation
Ion beam assisted deposition
Fourier transformed infrared spectroscopy
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
3rd ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, sanya, peoples r china, jan 06-09, 2008
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/09
bulge test fracture property
silicon carbide thin films
Weibull distribution function
Columnar structures and stress relaxation in thick GaN films grown on sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824
Wei TB (Wei Tong-Bo)
;
Ma P (Ma Ping)
;
Duan RF (Duan Rui-Fei)
;
Wang JX (Wang Jun-Xi)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466
Hu, WG
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Fan, HB
;
Zhu, QS
收藏
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浏览/下载:57/4
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
WURTZITE-TYPE CRYSTALS
THIN-FILMS
ALUMINUM NITRIDE
INTRINSIC STRESS
GAN
SAPPHIRE
AIN
DEPOSITION
STRAIN
Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation
期刊论文
diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 1482-1488
作者:
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:53/14
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提交时间:2010/03/17
cubic boron nitride
Design of the low-temperature AlN interlayer for GaN grown on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 381-388
Cong, GW
;
Lu, Y
;
Peng, WQ
;
Liu, XL
;
Wang, XH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/03/17
substrates
Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/17
stress
Effect of Silicon-on-Insulator Substrate on Residual Strain in 3C-SiC Films
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1681-1687
Wang Xiaofeng
;
Huang Fengyi
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zeng Yiping
;
Li Haiou
;
Duan Xiaofeng
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wu, MF
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/17
STRESS
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