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科研机构
半导体研究所 [9]
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2010 [1]
2008 [2]
2006 [2]
2004 [1]
2000 [2]
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学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:98/7
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
Study of Si/SiO2 hybrid antireflective coatings on SLD prepared by DSEBET - art. no. 69842P
会议论文
6th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, sep 25-28, 2007
Sun, MX
;
Tan, MQ
;
Zhao, M
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
antireflective coatings
superluminescent diodes
double source electron beam evaporation technology
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/09
HVPE
GaN
nitridation
polarity
etching
Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/04/11
oxidation
AlGaN
surface morphology
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
HIGH-POWER
GAN
OXIDE
Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/04/11
surface micro-roughness
contact angle
root-mean-square roughness
SILICON-WAFERS
ROUGHNESS
INP
Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393
作者:
Li DB
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浏览/下载:261/57
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提交时间:2010/03/09
triple-axis X-ray diffraction
用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 260
欧海燕
;
杨沁清
;
雷红兵
;
王红杰
;
余金中
;
王启明
;
胡雄伟
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/15
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
MOVPE
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