用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

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	用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析
	欧海燕 ; 杨沁清 ; 雷红兵 ; 王红杰 ; 余金中 ; 王启明 ; 胡雄伟
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:3 页码:260
中文摘要	用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到
英文摘要	用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5454.pdf: 334738 bytes, checksum: c1dab7b94c4bd90554274e7f6f0e8f10 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;国家光电子工艺中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18813]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	欧海燕,杨沁清,雷红兵,等. 用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J]. 半导体学报,2000,21(3):260.
APA	欧海燕.,杨沁清.,雷红兵.,王红杰.,余金中.,...&胡雄伟.(2000).用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析.半导体学报,21(3),260.
MLA	欧海燕,et al."用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析".半导体学报 21.3(2000):260.