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| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利
专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊
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| 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法 专利
专利号: CN107369746A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
作者: 黄华茂; 杨倬波; 王洪; 胡晓龙
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| 一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法 专利
申请日期: 2017-11-07,
作者: 张景文; 陈旭东; 翟文博; 王进军; 卜忍安
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| GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107069433A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者: 邢瑶; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
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| 半导体发光元件 专利
专利号: CN104737393B, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04
作者: 高山彻
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| 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者: 高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平
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| 一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868472A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者: 王文杰; 龙衡; 李俊泽; 李沫; 张健
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| 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868596A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者: 王文杰; 李俊泽; 龙衡; 李沫; 张健
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| GaN基多孔DBR的制备方法 专利
专利号: CN106848016A, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2017-06-13
作者: 杨超; 刘磊; 朱石超; 赵丽霞
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| 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 专利
专利号: CN206225325U, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2017-06-06
作者: 李国强; 王文樑; 朱运农; 杨为家
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