| 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 | |
| 李国强; 王文樑; 朱运农; 杨为家 | |
| 2017-06-06 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN206225325U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。与现有技术相比，本实用新型具有制备成本低廉的优点，GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。 |
| 公开日期 | 2017-06-06 |
| 申请日期 | 2016-08-29 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,王文樑,朱运农,等. 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜. CN206225325U. 2017-06-06. |
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