| 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 | |
| 王文杰; 李俊泽; 龙衡; 李沫; 张健 | |
| 2017-06-20 | |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 专利号 | CN106868596A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓的生长方法和氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1 将铜衬底抛光、清洗；S2 在铜衬底上制备石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层，因此可以得到高质量的氮化镓激光器；本发明采用石墨烯层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，通过原子层沉积方法制备的氮化铝层，可以实现材料的原子层的逐层生长，良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决了衬底和外延层之间大的晶格失配、提高外延层的质量。 |
| 公开日期 | 2017-06-20 |
| 申请日期 | 2017-01-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90296]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文杰,李俊泽,龙衡,等. 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器. CN106868596A. 2017-06-20. |
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