| 半导体发光元件 | |
| 高山彻 | |
| 2017-08-04 | |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 专利号 | CN104737393B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1‑x‑yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/05+y/0.69＞1、x/13+y/0.49＞1或x/54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/08+y/0.91≤1。 |
| 公开日期 | 2017-08-04 |
| 申请日期 | 2013-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻. 半导体发光元件. CN104737393B. 2017-08-04. |
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