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| 用于激光器应用的使用GAN衬底的光学装置结构 专利
专利号: CN102396083B, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者: 詹姆斯·W·拉林; 丹尼尔·F·费泽尔; 尼古拉斯·J·普菲斯特尔; 拉贾特·萨尔马
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| 一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 高兴国
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| 一种p型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103594922B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 丛国芳
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| 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103594921B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 丛国芳
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| 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法 专利
专利号: CN103227265B, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 张保平; 刘文杰; 胡晓龙; 张江勇; 应磊莹
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| 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管 专利
专利号: CN103026561B, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08
作者: R·巴特; D·兹佐夫
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| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生
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| 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利号: CN104617487A, 申请日期: 2015-05-13, 公开日期: 2015-05-13
作者: 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
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| 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 专利
专利号: CN104409319A, 申请日期: 2015-03-11, 公开日期: 2015-03-11
作者: 南琦; 王怀兵; 王辉; 吴岳; 傅华
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| 一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构 专利
专利号: CN104377547A, 申请日期: 2015-02-25, 公开日期: 2015-02-25
作者: 王智勇; 吕朝蕙; 王清; 尧舜; 郑建华
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