| 一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构 | |
| 王智勇; 吕朝蕙; 王清; 尧舜; 郑建华 | |
| 2015-02-25 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN104377547A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2015-02-25 |
| 申请日期 | 2014-11-19 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63505]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,吕朝蕙,王清,等. 一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构. CN104377547A. 2015-02-25. |
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