| 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 | |
| 南琦; 王怀兵; 王辉; 吴岳; 傅华 | |
| 2015-03-11 | |
| 著作权人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 专利号 | CN104409319A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法，首先准备一衬底，在衬底上制备石墨烯薄层；然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层；所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层，所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层，所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成。本发明突出效果为：采用石墨烯作为GaN缓冲层与衬底之间的应力释放基底，可将石墨烯作为基底的功能最大限度的发挥，有效的突破了两步生长法所能达到的晶格位错密度极限，将原有位错密度降低一个数量级以上。 |
| 公开日期 | 2015-03-11 |
| 申请日期 | 2014-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南琦,王怀兵,王辉,等. 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法. CN104409319A. 2015-03-11. |
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