| 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 | |
| 丛国芳 | |
| 2015-11-25 | |
| 著作权人 | 溧阳市科技开发中心 |
| 专利号 | CN103594921B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底；（2）在n-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极。 |
| 公开日期 | 2015-11-25 |
| 申请日期 | 2013-10-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44278]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 溧阳市科技开发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛国芳. 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法. CN103594921B. 2015-11-25. |
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