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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916779A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2012/01/06 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利 专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17 作者:  赵超荣;  刘梦新;  韩郑生;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101789435A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28 程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06