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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种用于监控介质平坦化过程的方法 专利 专利号: CN200810104224.1, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2009-10-21 作者:  刘新宇;  金智 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 专利 专利号: CN200710178316.X, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2009-06-03 作者:  程伟;  于进勇;  刘新宇;  金智;  夏洋 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 专利 专利号: CN101621027, 申请日期: 2010-01-06, 公开日期: 2010-01-06 作者:  金智;  王显泰 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26