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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质 期刊论文 半导体学报, 2005 许晓燕; 程行之; 黄如; 张兴 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/11 超薄栅介质 氮离子注入 击穿特性 ultrathin gate dielectric nitrogen implantation breakdown   超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究 其他 2005-01-01 许铭真; 谭长华; 段小蓉; 何燕冬 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 超薄SiO2  软击穿  栅电流  饱和性质  I-V特性  电子速度饱和  比例差值方法   关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究 其他 2005-01-01 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 SiO2  软击穿  电流路径  微观几何结构   超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制 期刊论文 物理学报, 2005 王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层  soft breakdown  gate current  Fowler  Nordheim-like tunneling  ultra-thin gate oxide