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热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN1316811A, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10
作者:  程澎;  林世鸣
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一种氮化物半导体器件 专利
专利号: CN1316782A, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10
作者:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN2415520Y, 申请日期: 2001-01-17, 公开日期: 2001-01-17
作者:  程澎;  林世鸣
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/26


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