热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 | |
程澎; 林世鸣 | |
2001-01-17 | |
著作权人 | 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区 |
专利号 | CN2415520Y |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 |
英文摘要 | 一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器,其衬底下为下电极,衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区,有源区上为P型DBR,上电极设置在P型DBR顶部,其中所述的有源区中间设有一绝缘层,将有源区分为低电阻率截止的横向导流通道和下有源区,绝缘层远离P型DBR一侧对应开设导电孔区,对应导电孔区轴向垂直位置的有源区上方设有上侧P型DBR。本实用新型既克服了顶部注入电极式严重器件发热的问题,又避免了侧向注入电极制作工艺复杂问题,保证产品性能,并且还能够控制调节导电率。 |
公开日期 | 2001-01-17 |
申请日期 | 2000-04-05 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44946] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程澎,林世鸣. 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器. CN2415520Y. 2001-01-17. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论