| 一种氮化物半导体器件 | |
| 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖 | |
| 2001-10-10 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN1316782A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮化物半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体器件，其中包含：在绝缘衬底上生长氮化物缓冲层，在其上并与其相接触具有增强平行于PN结平面电子迁移率的又具有与负电极金属形成低阻欧姆接触功能的氮化物半导体多重异质及掺杂结构层构成的负电极n型复合接触层。其具有新结构的氮化物半导体器件，这种结构的氮化物半导体器件的串联电阻低发光效率高。 |
| 公开日期 | 2001-10-10 |
| 申请日期 | 2000-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90369]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆大成,刘祥林,袁海荣,等. 一种氮化物半导体器件. CN1316782A. 2001-10-10. |
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