| 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 | |
| 程澎; 林世鸣 | |
| 2001-10-10 | |
| 著作权人 | 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区 |
| 专利号 | CN1316811A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器，其衬底下为下电极，衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区，有源区上为P型DBR，上电极设置在P型DBR顶部，其中所述的有源区中间设有一绝缘层，将有源区分为低电阻率截止的横向导流通道和下有源区，绝缘层远离P型DBR一侧对应开设导电孔区，对应导电孔区轴向垂直位置的有源区上方设有上侧P型DBR。本发明既克服了顶部注入电极式严重器件发热的问题，又避免了侧向注入电极制作工艺复杂问题，保证产品性能，并且还能够控制调节导电率。 |
| 公开日期 | 2001-10-10 |
| 申请日期 | 2000-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75514]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程澎,林世鸣. 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器. CN1316811A. 2001-10-10. |
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