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| Buried heterostructure ingaasp/inp strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized inalas current blocking layer 期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805
作者: Wang, ZJ; Chua, SJ; Zhou, F; Wang, W; Wu, RH
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2849423B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者: 細井 洋治; 小林 正男; 的場 昭大; 坪田 孝志
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998284800A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
作者: 冨士原 潔
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| 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1998261836A, 申请日期: 1998-09-29, 公开日期: 1998-09-29
作者: 高橋 孝志
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| 光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2827411B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者: 寺門 知二; 味澤 昭; 山口 昌幸; 小松 啓郎
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1998242577A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者: 稲葉 雄一; 石野 正人; 大塚 信之; 鬼頭 雅弘
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| 光デバイス 专利
专利号: JP1998229247A, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
作者: ウトゥパル クマル チャクラバーティ; ウィリアム クロスリー ドートレモント-スミス; コウ-ウェイ ワン; ダニエル ポール ウィルト
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| 半導体光デバイスの製造方法 专利
专利号: JP1998209568A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 堀川 英明; 中村 幸治; 山内 義則; 大柴 小枝子
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| 周期変調回折格子 专利
专利号: JP1998206620A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 国井 達夫
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| 半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1998206808A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 大柴 小枝子; 中村 幸治; 山内 義則
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