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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers 期刊论文 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102 Zheng Zhongshan; Liu Zhongli; Li Ning; Li Guohua; Zhang Enxia 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2011/08/16 Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET 期刊论文 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430 作者:  YU Fang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池 期刊论文 功能材料, 2007, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 1741-1744 张心强; 张维佳; 武美伶; 贾士亮; 刘浩; 李国华 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866 Zheng Zhongshan; Liu Zhongli; Zhang Guoqiang; Li Ning; Li Guohua; Ma Hongzhi; Zhang Enxia; Zhang Zhengxuan; Wang Xi 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 745-750 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23