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半导体研究所 [226]
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Interlayer Band-to-Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field-Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 15, 页码: 1910713
作者:
Quanshan Lv
;
Faguang Yan
;
Nobuya Mori
;
Wenkai Zhu
;
Ce Hu
;
Zakhar R. Kudrynskyi
;
Zakhar D. Kovalyuk
;
Amalia Patanè
;
Kaiyou Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/11/05
Defects coupling impacts on mono-layer wse2 tunneling field-effect transistors
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Wu,Jixuan
;
Ma,Xiaolei
;
Chen,Jiezhi
;
Jiang,Xiangwei
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浏览/下载:235/0
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提交时间:2019/05/12
Observation of tunneling magnetoresistance effect in L1 0 -MnAl/MgO/ Co 2 MnSi/MnAl perpendicular magnetic tunnel junctions
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 页码: 405002
作者:
Siwei Mao
;
Jun Lu
;
Hailong Wang
;
Xupeng Zhao
;
Dahai Wei
;
Jianhua Zhao
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/07/30
Defects coupling impacts on mono-layer WSe 2 tunneling field-effect transistors
期刊论文
Applied Physics Express, 2019, 卷号: 12, 页码: 034001
作者:
Jixuan Wu
;
Xiaolei Ma
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/07/30
Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 5699-5707
作者:
Juan Lu
;
Zhi-Qiang Fan
;
Jian Gong
;
Jie-Zhi Chen
;
Huhe ManduLa
;
Yan-Yang Zhang
;
Shen-Yuan Yang Xiang-Wei Jiang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/11/18
Performance enhancement in uniaxially tensile stressed GeSn n-channel fin tunneling field-effect transistor: Impact of stress direction
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 04CD07
作者:
Hongjuan Wang
;
Genquan Han
;
Xiangwei Jiang
;
Yan Liu
;
Chunfu Zhang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/06/15
Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain
期刊论文
aip advances, 2015, 卷号: 5, 页码: 057145
Genquan Han
;
Yibo Wang
;
Yan Liu
;
Hongjuan Wang
;
Mingshan Liu
;
Chunfu Zhang
;
Jincheng Zhang
;
Buwen Cheng
;
Yue Hao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/22
An efficient atomistic quantum mechanical simulation on InAs band-to-band tunneling field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 123504
Wang, Z
;
Jiang, XW
;
Li, SS
;
Wang, LW
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/04/02
Size-dependent electroluminescence from si quantum dots embedded in amorphous sic matrix
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Rui, Yunjun
;
Li, Shuxin
;
Xu, Jun
;
Song, Chao
;
Jiang, Xiaofan
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum interference effect in electron tunneling through a quantum-dot-ring spin valve
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1
作者:
Ma,Jing-Min
;
Zhao,Jia
;
Zhang,Kai-Cheng
;
Peng,Ya-Jing
;
Chi,Feng
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
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