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Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy 会议论文
International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications, Beijing, 2013-06-25
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Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6
作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Li, T. F.;  Zhou, G. Y.;  Zhang, H. Y.
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  Jia CH;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF
收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH
收藏  |  浏览/下载：63/5  |  提交时间：2011/07/05
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst 期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:  Li JB
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High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM
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