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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effective g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well investigated by magnetotransport measurement 期刊论文 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 3 作者:  X.Z.Liu Y.G.Xu G.Yu L.M.Wei T.Lin S.L.Guo J.H.Chu W.Z.Zhou Y.G.ZhangandDavidJ.Lockwood 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/11/10 Quantumwells  Magneticfields  Carrierdensity  Zeemaneffect  'iii-vsemiconductors   Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence 期刊论文 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 15 XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/11/10 Quantumwells  Photoluminescence  III-Vsemiconductors  Thinfilmgrowth  Bandgap   Light-emitting properties of a strain-tuned microtube containing coupled quantum wells 期刊论文 Appl.Phys.Lett, 2013, 卷号: 102, 期号: 4 H.L.Zhen G.S.Huang S.Kiravittaya S.L.Li Ch.Deneke DominicJ.Thurmer Y.F.Mei O.G.Schmidt and W.Lu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/11/10 Nanomaterials  Quantumwells  III-Vsemiconductors  Etching  Stressrelaxation   The nonlinear Rashba effect in Hg0.77Cd0.23Te inversion layers probed by weak antilocalization analysis 期刊论文 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 1 作者:  X.Z.Liu G.Yu L.M.Wei T.Lin Y.G.Xu J.R.Yang Y.F.Wei S.L.Guo J.H.Chu N.L.RowellandD.J.Lockwood 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/11/10 Carrierdensity  Quantumwells  Electricfields  Classicalspinmodels  Carriermobility