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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
发表日期
2017 [1]
2015 [1]
2011 [1]
2010 [4]
2009 [1]
2007 [3]
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Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/05/23
Landau levels and magneto-transport property of monolayer phosphorene
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 12295
X. Y. Zhou
;
R. Zhang
;
J. P. Sun
;
Y. L. Zou
;
D. Zhang
;
W. K. Lou
;
F. Cheng
;
G. H. Zhou
;
F. Zhai
;
Kai Chang
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2016/04/08
Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in si/er-si-o multilayer structure
期刊论文
Materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Zheng, J.
;
Zuo, Y. H.
;
Wang, W.
;
Tao, Y. L.
;
Xue, C. L.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
Role of bi3+ ions for er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in er/bi codoped sio2 thin film prepared by sol-gel method
期刊论文
Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763
作者:
Zheng, J.
;
Zuo, Y. H.
;
Zhang, L. Z.
;
Wang, W.
;
Xue, C. L.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Energy transfer
Erbium
Bismuth
Highly efficient photoluminescence of er2sio5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Zheng, J.
;
Ding, W. C.
;
Xue, C. L.
;
Zuo, Y. H.
;
Cheng, B. W.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
Ferromagnetic modification of gan film by cu+ ions implantation
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:
Zhang, B.
;
Chen, C. C.
;
Yang, C.
;
Wang, J. Z.
;
Shi, L. Q.
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Nonmagnetic element doped semiconductor
Cu ion implantation
Gan-based dms
Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763
Zheng J (Zheng J.)
;
Zuo YH (Zuo Y. H.)
;
Zhang LZ (Zhang L. Z.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Xue CL (Xue C. L.)
;
Cheng BW (Cheng B. W.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Guo HQ (Guo H. Q.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
收藏
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浏览/下载:107/4
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提交时间:2010/09/07
Photoluminescence
Energy transfer
Erbium
Bismuth
Strain-induced anodization of sige/si multiple layers to form high density sige/si heterogeneous nanorods
期刊论文
Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901
作者:
Zhou, Bi
;
Pan, S. W.
;
Chen, Rui
;
Chen, S. Y.
;
Li, Cheng
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Strain-induced
Electrochemical anodization
Silicon germanium
Heterogeneous nanostructures
1.3 mu m gain coupled dfb laser with ingaalas mqw grown on absorptive ingaasp corrugation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 859-862
作者:
Feng, W.
;
Pan, J. Q.
;
Wang, L.
;
Liao, Z. Y.
;
Cheng, Y. B.
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz
期刊论文
Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
作者:
Wang, X. L.
;
Cheng, T. S.
;
Ma, Z. Y.
;
Hu, Gx
;
Xiao, H. L.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Algan/gan
Hemt
Mocvd
Power device
Sic substrates
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