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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations 期刊论文 J. Appl. Phys., 2017 作者:  Wang SK(王盛凯);  Liu HG(刘洪刚);  Su YY(苏玉玉);  Chang HD(常虎东);  Cao MM(曹明民) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/15 InGaAs Complementary metal-oxide-semiconductor fabricated on GaAs Substrate using Al2O3 as gate oxide 会议论文 作者:  Zhou SH(周生辉);  Liu GM(刘桂明);  Liu HG(刘洪刚);  Ceng ZH(曾振华);  Zhao W(赵威) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/07