| Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations | |
| Wang SK(王盛凯); Liu HG(刘洪刚); Su YY(苏玉玉); Chang HD(常虎东); Cao MM(曹明民); Sun B(孙兵) | |
| 刊名 | J. Appl. Phys.
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| 2017-05-14 | |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17996]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang SK,Liu HG,Su YY,et al. Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations[J]. J. Appl. Phys.,2017. |
| APA | 王盛凯,刘洪刚,苏玉玉,常虎东,曹明民,&孙兵.(2017).Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations.J. Appl. Phys.. |
| MLA | 王盛凯,et al."Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations".J. Appl. Phys. (2017). |
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