×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安光学精密机械研... [51]
内容类型
专利 [49]
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [2]
1997 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共51条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:西安光学精密机械研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
High-performance solid-state photon-enhanced thermionic emission solar energy converters with graded bandgap window-layer
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 5
作者:
Yang, Yang
;
Xu, Peng
;
Cao, Weiwei
;
Zhu, Bingli
;
Wang, Bo
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2020/12/08
photon-enhanced thermionic emission
solid-state device
solar energy converter
bandgap gradation
AlGaAs/GaAs hetero-junction
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:
Yang, XD
;
Zhang, JW
;
Bi, Z
;
He, YN
;
Xu, Q
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/08/15
glancing incidence X-ray analysis
time-integrated photoluminescence
X-ray reflectivity
laser MBE
Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials
专利
专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17
作者:
XIE, YA-HONG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers
专利
专利号: GB2344932A, 申请日期: 2000-06-21, 公开日期: 2000-06-21
作者:
STEPHEN PETER NAJDA
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction
专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:
HUANG, JENN-HWA
;
TEHRANI, SAIED N.
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/24
半導体発光素子
专利
专利号: JP2751306B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:
山腰 茂伸
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者:
深谷 一夫
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
专利号: JP2643127B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:
下林 隆
;
伊藤 直行
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:
麻多 進
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2020/01/18
赤外半導体レ-ザ
专利
专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04
作者:
鈴木 正敏
;
久代 行俊
;
宇高 勝之
;
秋葉 重幸
;
松島 裕一
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/24
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace