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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2003 [3]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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专题:半导体研究所
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95
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Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts
期刊论文
journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:56/5
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提交时间:2011/07/05
Sol-gel
ZnO:Er-Yb nanoparticles
Up-conversion
Core/shell
Three-photon processes
NANOCRYSTALLINE YTTRIA
OPTICAL SPECTROSCOPY
GLASSES
LUMINESCENCE
TEMPERATURE
ER3+
YB3+
GREEN
FILMS
OXIDE
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
期刊论文
thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
catalyzer
hot-wire chemical vapor deposition
simulation
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
会议论文
2nd international conference on cat-cvd (hot-wire cvd) process, denver, colorado, sep 10-13, 2002
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang YT
;
Cheng LS
;
Zhang Z
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
MOVPE growth
Al2O3 coated Si substrate
crystal structure
photoluminescence spectrum
SINGLE CRYSTALLINE GAN
HIGH-QUALITY GAN
INTERMEDIATE LAYER
BUFFER LAYERS
SI
FILMS
ALN
DEPOSITION
SAPPHIRE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42
Wang HM
;
Fan TW
;
Wu J
;
Zeng YP
;
Dong JR
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CRITICAL LAYER THICKNESS
THREADING DISLOCATIONS
OVAL DEFECTS
HETEROSTRUCTURES
INXGA1-XAS
ENERGY
SI
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