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半导体研究所 [35]
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专题:半导体研究所
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AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
深紫外LED
氮化铝(AlN)
成核层
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:527/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
InAlN薄膜MOCVD外延生长研究
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 609-613
作者:
刘乃鑫
;
闫建昌
;
魏同波
;
贠利君
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/07/17
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/07/17
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2010/08/12
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2011/08/16
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:
薛海韵
;
成步文
;
薛春来
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光
期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏
;
周志文
;
李成
;
陈松岩
;
赖虹凯
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响
期刊论文
功能材料, 2008, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1605-1607
作者:
牛智川
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
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