CORC

浏览/检索结果: 共35条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
收藏  |  浏览/下载:109/0  |  提交时间:2017/05/27
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
收藏  |  浏览/下载:527/0  |  提交时间:2016/06/03
InAlN薄膜MOCVD外延生长研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 609-613
作者:  刘乃鑫;  闫建昌;  魏同波;  贠利君
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/07/17
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2012/07/17
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
收藏  |  浏览/下载:102/0  |  提交时间:2010/08/12
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2011/08/16
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2010/11/23
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23
生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响 期刊论文
功能材料, 2008, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1605-1607
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace