InAlN薄膜MOCVD外延生长研究

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	InAlN薄膜MOCVD外延生长研究
	刘乃鑫; 闫建昌; 魏同波; 贠利君
刊名	半导体技术
	2011
卷号	36 期号:8 页码:609-613
中文摘要	为了研究不同压力和不同模板对InA lN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模板时生长压力为4.00、6.67和13.33 kPa,压力为4.00 kPa时模板为GaN和A lN这两组条件进行实验比较。研究发现,随着生长压力的增加,样品中In含量降低,样品的粗糙度则随压力的增加而增大;压力为4.00 kPa时,分别以摇摆曲线半高宽(FWHM)为86.97″的A lN和224.1″的GaN为模板,发现A lN模板上生长的InA lN样品(002)和(102)峰的FWHM值及表面粗糙度比上述GaN为模板生长的InA lN样品都要小很多。综合以上结果可初步得知:降低压力可以优化InA lN薄膜的表面形貌,增加In组分含量;采用高质量的A lN作模板能生长出晶体质量和表面形貌都比较好的InA lN薄膜。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	基金
语种	中文
公开日期	2012-07-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23301]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	刘乃鑫,闫建昌,魏同波,等. InAlN薄膜MOCVD外延生长研究[J]. 半导体技术,2011,36(8):609-613.
APA	刘乃鑫,闫建昌,魏同波,&贠利君.(2011).InAlN薄膜MOCVD外延生长研究.半导体技术,36(8),609-613.
MLA	刘乃鑫,et al."InAlN薄膜MOCVD外延生长研究".半导体技术 36.8(2011):609-613.