生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

	生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响
	牛智川
刊名	功能材料
	2008
卷号	39 期号:10 页码:1605-1607
中文摘要	采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目（6 6 7 16.6 6254 5）
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15917]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响[J]. 功能材料,2008,39(10):1605-1607.
APA	牛智川.(2008).生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响.功能材料,39(10),1605-1607.
MLA	牛智川."生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响".功能材料 39.10(2008):1605-1607.