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半导体研究所 [97]
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期刊论文 [94]
专利 [2]
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专题:半导体研究所
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二维材料低能哈密顿量构建及自旋输运性质的理论研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
周马
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/11/18
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光
期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏
;
周志文
;
李成
;
陈松岩
;
赖虹凯
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/11/23
一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553
作者:
赵德刚
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4570-4574
作者:
赵德刚
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 47-51
作者:
程远兵
;
王圩
;
朱洪亮
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
双波长外腔半导体激光器的研究
期刊论文
光学技术, 2007, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 287-288
江鹏飞
;
周燕
;
谢福增
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浏览/下载:196/29
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提交时间:2010/11/23
甚短距离光传输(VSR-1)系统色散功率代价的分析
期刊论文
光学技术, 2007, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 3-5
作者:
陈雄斌
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
CMOS超高频整流器
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 1471-1476
周盛华
;
吴南健
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:
赵强
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
作者:
潘教青
;
王圩
;
朱洪亮
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
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