CMOS超高频整流器

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	CMOS超高频整流器
	周盛华 ; 吴南健
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:9 页码:1471-1476
中文摘要	提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.
英文摘要	提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4003.pdf: 576289 bytes, checksum: a9674b3dd636fcd6ff5b3de2105183ab (MD5) Previous issue date: 2007; 国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 4A1 8),国家自然科学基金(批准号:9 6 7 7)资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 4A1 8),国家自然科学基金(批准号:9 6 7 7)资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16221]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	周盛华,吴南健. CMOS超高频整流器[J]. 半导体学报,2007,28(9):1471-1476.
APA	周盛华,&吴南健.(2007).CMOS超高频整流器.半导体学报,28(9),1471-1476.
MLA	周盛华,et al."CMOS超高频整流器".半导体学报 28.9(2007):1471-1476.