低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移
	程远兵; 王圩; 朱洪亮
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:1 页码:47-51
中文摘要	提出了采用低能氦离子注入多量子阱（MQW）材料和合适的快速退火条件，实现了MQW带隙波长的蓝移．用这种材料制作了FP腔激光器，与未注入器件相比，实现了37nm的激射波长蓝移．
英文摘要	提出了采用低能氦离子注入多量子阱（MQW）材料和合适的快速退火条件，实现了MQW带隙波长的蓝移．用这种材料制作了FP腔激光器，与未注入器件相比，实现了37nm的激射波长蓝移．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4103.pdf: 352558 bytes, checksum: 6758cc66021823e1b8265904050f79f1 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16379]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	程远兵,王圩,朱洪亮. 低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移[J]. 半导体学报,2007,28(1):47-51.
APA	程远兵,王圩,&朱洪亮.(2007).低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移.半导体学报,28(1),47-51.
MLA	程远兵,et al."低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移".半导体学报 28.1(2007):47-51.