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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and field emission property of a Si nanotip array 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2006, 卷号: 17, 期号: 22, 页码: 5573-5576 Huang, GS; Wu, XL; Cheng, YC; Li, XF; Luo, SH; Feng, T; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 ANODIC POROUS ALUMINA  CARBON NANOTUBES  SILICON  TEMPLATES  NANOWIRES  ISLANDS  WAFER   Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280 Di, ZF; Huang, AP; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Luo, SH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  OXIDATION  SUBSTRATE  STABILITY  ELECTRON  ISLANDS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS