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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18 场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线   纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437 作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/01/18 纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性   深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文 物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269 作者:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/10/13 总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源   基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者:  席善斌 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2013/05/31 低剂量率辐射损伤增强效应  栅控晶体管  电荷分离  损伤机理  竞争模型   基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013 作者:  席善斌 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2013/05/31 低剂量率辐射损伤增强效应  栅控晶体管  电荷分离  损伤机理  竞争模型