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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and test of PECVD SiC resonator 其他 2007-01-01 Wang, Yu; Guo, Hui; Zhang, Haixia; Zhang, Guobing; Li, Zhihong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 PECVD SiC as a chemical resistant material in MEMS 其他 2006-01-01 Guo, Hui; Wang, Yu; Chen, Sheng; Zhang, Guobing; Zhang, Haixia; Li, Zhihong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/16 PECVD  SiC  etch mask  device protection  MEMS   Modifying residual stress and stress gradient in LPCVD SI3N 4 film with ion implantation 其他 2005-01-01 Shi, Wendian; Zhang, Haixia; Wang, Shasha; Zhang, Guobing; Li, Zhihong 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 THE CHARACTERISTICS AND MORPHOLOGIES OF REACTIVELY FORMED CoSi2 FILMS FOR SELFALIGNED SILICIDE TECHNOLOGY 其他 1989-01-01 TAO Jiang; WU Guoying; ZHANG Guobing; SUN Yuxiu; WANG Yangyuan; DU Anyan; CHEN Weide 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 annealing  annealed  characterize  conductive  sheet  morphological  furnace  aligned  resistivity  vent  annealing  annealed  characterize  conductive  sheet  morphological  furnace  aligned  resistivity  vent   A NOVEL COSI2/SALICIDED MOSFET TECHNOLOGY 其他 1989-01-01 XU Li; WU Guoying; ZHANG Guobing; SUN Yuxiu; CHEN Wenru; WANG Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2017/12/03 ULSI  smoothness  aligned  adopt  shallow  drain  fabricating  mixing  advantageous  transformed  ULSI  smoothness  aligned  adopt  shallow  drain  fabricating  mixing  advantageous  transformed