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科研机构
半导体研究所 [9]
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会议论文 [3]
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2012 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [3]
2002 [2]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Simulation of proton transportation process in GaN
期刊论文
yuanzineng kexue jishu/atomic energy science and technology, 2012, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 648-651
Zhang, Ming-Lan
;
Zhang, Xiao-Qian
;
Yang, Rui-Xia
;
Di, Zhao-Ting
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/05/07
Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, LC
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Wang, GH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
LIGHT-EMITTING-DIODES
EFFICIENCY
Self-organized superlattices along the [001] growth direction in In0.52Al0.48As layers grown on nominally (001) InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 151-160
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:86/21
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提交时间:2010/03/17
composition modulation
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
期刊论文
thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
catalyzer
hot-wire chemical vapor deposition
simulation
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
会议论文
2nd international conference on cat-cvd (hot-wire cvd) process, denver, colorado, sep 10-13, 2002
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:79/8
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:88/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
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