×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2005 [1]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Characterization of silicon carbide thin films and their use in colour sensor
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2005, 卷号: 87, 期号: 1-4, 页码: 343-348
Zhang S
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Liao X
;
Hu Z
;
Ferreira I
;
Aguas H
;
Ramos AR
;
Alves E
;
Martins R
收藏
  |  
浏览/下载:50/15
  |  
提交时间:2010/03/17
thin film materials & devices
Microstructure characterization of transition films from amorphous to nanocrocrystalline silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 27-32
Xu YY
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Hu ZH
;
Diao HW
;
Zhang SB
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
growth from vapor
chemical vapor deposition processes
semiconducting silicon
A-SI-H
MICROCRYSTALLINE SILICON
EXCITATION-FREQUENCY
HYDROGENATED SILICON
DEPOSITION
PLASMA
TEMPERATURE
Resonant Raman scattering of a-SiNx : H
期刊论文
materials letters, 2001, 卷号: 47, 期号: 1-2, 页码: 50-54
Wang Y
;
Yue RF
;
Han HX
;
Liao XB
;
Wang YQ
;
Diao HW
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/08/12
a-Sin(x): H films
resonant Raman scattering
quantum confinement model
POLYCRYSTALLINE DIAMOND FILMS
AMORPHOUS-SILICON
HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE
SPECTROSCOPY
ALLOYS
Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Ansell BJ
;
Foxon CT
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
SINGLE-CRYSTAL GAN
I-N PHOTODIODES
HIGH-SPEED
PHOTOCONDUCTORS
ALXGA1-XN
SIMULATIONS
DETECTORS
SAPPHIRE
LAYERS
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
  |  
浏览/下载:69/0
  |  
提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace