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科研机构
微电子研究所 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2016 [3]
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发表日期:2016
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浅沟槽隔离及其制造方法
专利
专利号: CN201210307008.3, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-03-12
作者:
罗军
;
钟汇才
;
梁擎擎
;
赵超
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提交时间:2017/06/13
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: CN201210162593.2, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-12-04
作者:
崔虎山
;
赵超
;
王桂磊
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/06/30
一种浅沟槽隔离结构及其制造方法
专利
专利号: CN201210331626.1, 申请日期: 2016-06-08, 公开日期: 2014-03-26
作者:
赵超
;
钟汇才
;
梁擎擎
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提交时间:2017/06/13
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