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浅沟槽隔离及其制造方法 专利
专利号: CN201210307008.3, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-03-12
作者:  罗军;  钟汇才;  梁擎擎;  赵超
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210162593.2, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-12-04
作者:  崔虎山;  赵超;  王桂磊
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一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210331626.1, 申请日期: 2016-06-08, 公开日期: 2014-03-26
作者:  赵超;  钟汇才;  梁擎擎
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