半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	崔虎山; 赵超; 王桂磊
	2016-09-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210162593.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供一种半导体器件，包括：衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述衬底中，且形成至少一个开口区；沟道区，位于所述开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅电极层，位于所述沟道区上方；源漏区，位于所述沟道区的两侧，包括为所述沟道区提供应变的应力层；其中，所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层，作为所述应力层的晶种层；以及，所述衬底与所述浅沟槽隔离之间具有衬垫层和垫氧化层。在STI和源漏区应力层中间插入衬垫层作为外延生长的晶种层或成核层，借此而消除了在源漏应变工程中STI边缘效应，也即消除了STI与源漏区应力层之间的空隙，防止了源漏应变对沟道应力的减小，提高了M0S器件的载流子迁移率从而提高了器件的驱动能力。
公开日期	2013-12-04
申请日期	2012-05-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16709]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	崔虎山,赵超,王桂磊. 半导体器件及其制造方法. CN201210162593.2. 2016-09-21.