一种浅沟槽隔离结构及其制造方法

	一种浅沟槽隔离结构及其制造方法
	赵超; 钟汇才; 梁擎擎
	2016-06-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210331626.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属氧化物电介质。本发明通过使用晶体金属氧化物电介质来代替非晶电介质作为浅沟槽隔离结构中的隔离材料，可以提高器件性能。
公开日期	2014-03-26
申请日期	2012-09-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16675]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超,钟汇才,梁擎擎. 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法. CN201210331626.1. 2016-06-08.