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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Hot carrier effect on a single SiGe HBT's EMI response 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2015, 卷号: 55, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2627-2633 作者:  Xiong, Cen;  Li, Yonghong;  Liu, Shuhuan;  Tang, Du;  Zhang, Jinxin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Hot carrier stress  SiGe HBT  EMI   Hot carrier effect on the bipolar transistors' response to electromagnetic interference 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2015, 卷号: 55, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 514-519 作者:  Xiong Cen;  Liu Shuhuan;  Li Yonghong;  Tang Du;  Zhang Jinxin 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02 Hot carrier stress  BJT  EMI   超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 霍宗亮; 王金延; 毛凌锋; 王子欧; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 应力感应漏电流  热载流子应力  超薄栅氧化层  MOS器件  SILC  hot carrier stress  ultra-thin gate oxide  MOSFET   一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 毛凌锋; 王金延; 霍宗亮; 王子欧; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 热载流子应力  LDD结构  超薄栅氧化层  两步退化机制  hot-carrier stress  LDD  ultra-thin gate oxide  two-step degradation