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Characterization of Self-heating Leads to Universal Scaling of HCI Degradation of Multi-Fin SOI FinFETs 其他
2016-01-01
Jiang, Hai; Shin, SangHoon; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing; Alam, Muhammad Ashraful
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03
Study of impact of LATID on HCI reliability for LDMOS devices 其他
2016-01-01
Chandrashekhar; Sheu, Gene; Yang, Shao Ming; Chien, Ting Yao; Lin, Yun Jung; Wu, Chieh Chih; Lee, Tzu Chieh
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03
Accelerated Aging in Analog and Digital Circuits With Feedback 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2015
Sutaria, Ketul B.; Mohanty, Abinash; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Cao, Yu
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03
Investigation of Self-Heating Effect on Hot Carrier Degradation in Multiple-Fin SOI FinFETs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015
Jiang, Hai; Liu, Xiaoyan; Xu, Nuo; He, Yandong; Du, Gang; Zhang, Xing
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
An Investigation of DC/AC Hot Carrier Degradation in Multiple-fin SOI FinFETs 其他
2015-01-01
Jiang, H.; Liu, X. Y.; Xu, N.; He, Y. D.; Du, G.; Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
SOI高压器件热载流子退化研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
韩临; 何燕冬; 张钢刚
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/11
Behavior of substrate enhanced electron injection in advanced deep sub-micron NMOSFETs 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 493-499
Wang,QX; Sun,LX; Yap,A; Zhang,YJ; Li,H; Liu,SH; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24
不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化 期刊论文
半导体学报, 2004
赵要; 胡靖; 许铭真; 谭长华
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12
一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法 期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23
热载流子应力下超薄栅pMOS器件氧化层陷阱电荷的表征 期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23

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